霍爾效應(yīng)測(cè)試儀主要用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)、導(dǎo)電類型等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測(cè)試儀是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性*的工具。

ECOPIA公司的HMS系列霍爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)主要由恒電流源、范德堡法則終端轉(zhuǎn)換器、低溫(77K)測(cè)量系統(tǒng)及磁場(chǎng)強(qiáng)度輸入系統(tǒng)組成，擁有研究半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng)所有的部件和配置，是一套非常成熟的儀器系統(tǒng)。同時(shí)HMS系列儀器獲得多項(xiàng)霍爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)、測(cè)量方法的zhuanli，代表了霍爾效應(yīng)測(cè)量的品質(zhì)及合理的產(chǎn)品價(jià)格，并為客戶所認(rèn)可。該產(chǎn)品2004年7月通過(guò)CE認(rèn)證。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、 可靠的精度及重現(xiàn)性
恒電流源(1nA~20mA)采用六級(jí)電流范圍設(shè)置，將可以接收的誤差降到低；范德堡法則轉(zhuǎn)換使用非接觸裝置有效降低儀器噪聲；軟硬件有針對(duì)性的設(shè)計(jì)，確保每個(gè)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)均為多次測(cè)試的平均值，使儀器擁有非常好的數(shù)據(jù)重現(xiàn)性。
2、 產(chǎn)品小型化及操作簡(jiǎn)單化
小尺寸的磁場(chǎng)強(qiáng)度輸入系統(tǒng)使用永磁體和液氮低溫測(cè)量系統(tǒng)(77K)，確保儀器操作非常簡(jiǎn)單；兩種不同尺寸的傳統(tǒng)樣品板(20*20mm、6*6mm)及帶彈簧夾片的樣品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜樣品更容易測(cè)量，區(qū)別于傳統(tǒng)樣品板的彈簧夾片樣品板使得霍爾電極制作更方便且對(duì)樣品損傷更小。
3、 I-V曲線及I-R曲線測(cè)量
采用圖表的方式，測(cè)量探針?biāo)狞c(diǎn)(A、B、C、D)間電流-電壓及電流-電阻關(guān)系，并以此評(píng)判樣品的歐姆接觸好壞、了解樣品的基本的電學(xué)特性。
4、 多樣的實(shí)驗(yàn)結(jié)果
實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到，可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)、電阻的縱橫比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。

產(chǎn)品組成：

主機(jī)(精密恒電流源+范德堡法則終端轉(zhuǎn)換器) / 磁體包(包括樣品板) / 軟件等。

[HMS-3000軟件界面一]

[HMS-3000軟件界面二(I-V和I-R曲線測(cè)量)]

產(chǎn)品規(guī)格：

1、 主要儀器參數(shù)
輸入電流：1nA ~ 20mA；

電阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm；

載流子濃度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；

遷移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；

磁場(chǎng)強(qiáng)度：0.37T, 0.55T,  1T, 0.25~1T變場(chǎng)磁體；

樣品測(cè)量板：PCB樣品板，SPCB彈簧樣品板，晶圓樣品板等；

樣品尺寸：5mmX5mm  ~ 20mmX20mm (可選配30mm或2inch大樣品板)；

測(cè)量溫度：常溫，77K液氮浴；

2、 軟件操作環(huán)境
XP / Win7 / Win8 / Win10環(huán)境下。

3、 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
體載流子濃度、表面載流子濃度；
遷移率;霍爾系數(shù)；
電阻率,方塊電阻；
磁致電阻；
電阻的縱橫比率；

4、 儀器尺寸和重量
主機(jī)尺寸：360×300×105 mm (W×H×D) 磁體Kit尺寸：200×120×110 mm (W×H×D)；
凈重：7.7千克；

5、 測(cè)量材料
Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半導(dǎo)體薄膜(P型和N型)。