微波等離子去膠機是在（RIE）反應離子刻蝕機的基礎上簡化改進而來，為小型等離子去膠機，具有體積小，性能優良、用途多、工藝速率高、均勻性及重復性好、價格低、使用方便等特點。是各電子器件企業及科研單位、大專院校的機型。適合于微電子制作工藝中光刻膠的去膠工藝，同時有RIE刻蝕功能，可以刻蝕Si、SiO2、SiN。

　　微波等離子去膠機在清洗中，影響清洗效率的參數主要有以下幾個方面：

　　（1）放電氣壓：對于低壓等離子體，放電氣壓增加，等離子體密度越高，電子溫度隨之降低。而等離子體的清洗效果取決于其密度和電子溫度兩個方面，如密度越高清洗速率越快、電子溫度越高清洗效果越好。因此，放電氣壓的選擇對低壓等離子體清洗工藝至關重要。

　　（2）氣體種類：待處理物件的基材及其表面污染物具有多樣性，而不同氣體放電所產生的等離子體清洗速度和清洗效果又相差甚遠。因此應該有針對性地選擇等離子體的工作氣體，如可選用氧氣等離子體去除物體表面的的油脂污垢，選用氫氬混合氣體等離子體去除氧化層。

　　（3）放電功率：放電功率增大，可以增加等離子體的密度和活性粒子能量，因而提高清洗效果。例如，氧氣等離子體的密度受放電功率的影響較大。

　　（4）暴露時間：待清洗材料在等離子體中的暴露時間對其表面清洗效果及等離子體工作效率有很大影響。暴露時間越長清洗效果相對越好，但工作效率降低。并且，過長時間的清洗可能會對材料表面產生損傷。

　　（5）傳動速度：對于常壓等離子體清洗工藝，處理大物件時會涉及連續傳動問題。因此待清洗物件與電極的相對移動速度越慢，處理效果越好，但速度過慢一方面影響工作效率，另一方面也可能造成處理時間過長產生材料表面損傷。